NTLJS3D0N02P8ZTAG

ON Semiconductor NTLJS3D0N02P8ZTAG

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  • NTLJS3D0N02P8ZTAG
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • NTLJS3D0N02P8ZTAG Datenblatt
  • 6-PowerWDFN
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 28501
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
NTLJS3D0N02P8ZTAG
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-PowerWDFN
Gerätepaket des Lieferanten
6-PQFN (2x2)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
860mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @Id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2165 pF @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
1.8V, 4.5V

NTLJS3D0N02P8ZTAG Garantien

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