ON Semiconductor NTLJS7D2P02P8ZTAG
- NTLJS7D2P02P8ZTAG
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NTLJS7D2P02P8ZTAG Datenblatt
- 6-PowerWDFN
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4248
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| Teilenummer NTLJS7D2P02P8ZTAG |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 6-PowerWDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten 6-PQFN (2x2) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 860mW (Ta) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.9A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 10A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 26.7 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2790 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±8V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 2.5V, 4.5V |
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