NTMFS4H02NT1G

ON Semiconductor NTMFS4H02NT1G

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  • NTMFS4H02NT1G
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • NTMFS4H02NT1G Datenblatt
  • 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1656
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
NTMFS4H02NT1G
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Gerätepaket des Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 83W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
37A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38.5 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2651 pF @ 12 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
4.5V, 10V

NTMFS4H02NT1G Garantien

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