NTMS5P02R2G

ON Semiconductor NTMS5P02R2G

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  • NTMS5P02R2G
  • ON Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • NTMS5P02R2G Datenblatt
  • 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 12433
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
NTMS5P02R2G
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOIC
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
790mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
3.95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @Id
1.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1900 pF @ 16 V
Vgs (Max)
±10V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
2.5V, 4.5V

NTMS5P02R2G Garantien

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