NTMT190N65S3H

ON Semiconductor NTMT190N65S3H

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  • NTMT190N65S3H
  • ON Semiconductor
  • POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • NTMT190N65S3H Datenblatt
  • 4-PowerTSFN
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1950
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
NTMT190N65S3H
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Paket
Tube
Serie
SuperFET® III
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
4-PowerTSFN
Gerätepaket des Lieferanten
4-TDFN (8x8)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
129W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 1.4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1600 pF @ 400 V
Vgs (Max)
±30V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

NTMT190N65S3H Garantien

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