ON Semiconductor NTMT190N65S3H
- NTMT190N65S3H
- ON Semiconductor
- POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NTMT190N65S3H Datenblatt
- 4-PowerTSFN
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1950
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NTMT190N65S3H |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE |
Paket Tube |
Serie SuperFET® III |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 4-PowerTSFN |
Gerätepaket des Lieferanten 4-TDFN (8x8) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 129W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 1.4mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1600 pF @ 400 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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