ON Semiconductor NVC3S5A51PLZT1G
- NVC3S5A51PLZT1G
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NVC3S5A51PLZT1G Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1730
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer NVC3S5A51PLZT1G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gerätepaket des Lieferanten 3-CPH |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta) |
FET-Typ P-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.8A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.6V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 262 pF @ 20 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4V, 10V |
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