ON Semiconductor NVD5862NT4G-VF01
- NVD5862NT4G-VF01
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NVD5862NT4G-VF01 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3501
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Teilenummer NVD5862NT4G-VF01 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 |
Paket TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten DPAK-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 4.1W (Ta), 115W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Ta), 98A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7 mOhm @ 48A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6000pF @ 25V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10V |
Vgs (Max) ±20V |
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