ON Semiconductor NVD5C688NLT4G
- NVD5C688NLT4G
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NVD5C688NLT4G Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4768
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Teilenummer NVD5C688NLT4G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie Automotive, AEC-Q101 |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten DPAK |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 18W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.4mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.1V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 4.5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 400 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±16V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
NVD5C688NLT4G Garantien
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Bemerkungen
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