ON Semiconductor NVF6P02T3G
- NVF6P02T3G
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NVF6P02T3G Datenblatt
- TO-261-4, TO-261AA
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4484
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NVF6P02T3G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223 |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie Automotive, AEC-Q101 |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-261-4, TO-261AA |
Gerätepaket des Lieferanten SOT-223 (TO-261) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 8.3W (Ta) |
FET-Typ P-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @Id 1V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1200 pF @ 16 V |
Vgs (Max) ±8V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 2.5V, 4.5V |
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Bemerkungen
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