ON Semiconductor NVMFS5113PLWFT1G
- NVMFS5113PLWFT1G
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NVMFS5113PLWFT1G Datenblatt
- 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 14456
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer NVMFS5113PLWFT1G |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie Automotive, AEC-Q101 |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Gerätepaket des Lieferanten 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 150W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta), 64A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4400 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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