ON Semiconductor NVMFS6H824NT1G
- NVMFS6H824NT1G
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NVMFS6H824NT1G Datenblatt
- 8-PowerTDFN, 5 Leads
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 19947
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NVMFS6H824NT1G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN |
Paket -Reel® |
Serie Automotive, AEC-Q101 |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Gerätepaket des Lieferanten 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 115W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Ta), 103A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 140µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2470 pF @ 40 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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