ON Semiconductor NVMYS2D9N04CLTWG
- NVMYS2D9N04CLTWG
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NVMYS2D9N04CLTWG Datenblatt
- SOT-1023, 4-LFPAK
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1412
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer NVMYS2D9N04CLTWG |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4 |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie Automotive, AEC-Q101 |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SOT-1023, 4-LFPAK |
Gerätepaket des Lieferanten LFPAK4 (5x6) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 68W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 27A (Ta), 110A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 40A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 60µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2100 pF @ 20 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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