NXPSC166506Q

WeEn Semiconductors NXPSC166506Q

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  • NXPSC166506Q
  • WeEn Semiconductors
  • SILICON CARBIDE POWER DIODE
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • NXPSC166506Q Datenblatt
  • TO-220-2
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 27783
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
NXPSC166506Q
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Single
Hersteller
WeEn Semiconductors
Beschreibung
SILICON CARBIDE POWER DIODE
Paket
Tube
Serie
-
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-2
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AC
Diodentyp
Silicon Carbide Schottky
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
16A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 16 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
100 µA @ 650 V
Kapazität@Vr,F
534pF @ 1V, 1MHz
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
650 V
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
175°C (Max)

NXPSC166506Q Garantien

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