WeEn Semiconductors NXPSC20650W-AQ
- NXPSC20650W-AQ
- WeEn Semiconductors
- SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- NXPSC20650W-AQ Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1652
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer NXPSC20650W-AQ |
| Kategorie Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Hersteller WeEn Semiconductors |
| Beschreibung SILICON CARBIDE POWER DIODE |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-247-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-247-3 |
| Diodentyp Silicon Carbide Schottky |
| Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A |
| Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 60 µA @ 650 V |
| Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode |
| Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650 V |
| Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 20A |
| Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) 0 ns |
| Betriebstemperatur – Verbindungsstelle 175°C (Max) |
NXPSC20650W-AQ Garantien



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Bemerkungen
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