NXP USA Inc. PBSS5130PAP,115
- PBSS5130PAP,115
- NXP USA Inc.
- NOW NEXPERIA PBSS5130PAP - SMALL
- Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- PBSS5130PAP,115 Datenblatt
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1083
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer PBSS5130PAP,115 |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
Hersteller NXP USA Inc. |
Beschreibung NOW NEXPERIA PBSS5130PAP - SMALL |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 6-UFDFN Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten 6-HUSON (2x2) |
Power-Max 510mW |
Transistortyp 2 PNP (Dual) |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 30V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 280mV @ 50mA, 1A |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 170 @ 500mA, 2V |
Frequenzübergang 125MHz |
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Bemerkungen
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The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...

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