NXP Semiconductors PDTA114EMB,315
- PDTA114EMB,315
- NXP Semiconductors
- NOW NEXPERIA PDTA114 - SMALL SIG
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- PDTA114EMB,315 Datenblatt
- 3-XFDFN
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 9322
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer PDTA114EMB,315 |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Hersteller NXP Semiconductors |
Beschreibung NOW NEXPERIA PDTA114 - SMALL SIG |
Paket Bulk |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 3-XFDFN |
Gerätepaket des Lieferanten DFN1006B-3 |
Power-Max 250 mW |
Transistortyp PNP - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 1µA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V |
Frequenzübergang 180 MHz |
Widerstandsbasis (R1) 10 kOhms |
Widerstand – Emitterbasis (R2) 10 kOhms |
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