PDTB123EU115

NXP USA Inc. PDTB123EU115

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  • PDTB123EU115
  • NXP USA Inc.
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • PDTB123EU115 Datenblatt
  • -
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 5121
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
PDTB123EU115
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
-
Paket/Koffer
-
Gerätepaket des Lieferanten
-
Power-Max
-
Transistortyp
-
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
-
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
-
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Frequenzübergang
-

PDTB123EU115 Garantien

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NXP USA Inc.
NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States. The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...
PDTC123JQA147
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

BC857CQA147
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BC856BW/DG/B3115
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PDTC143XQA147
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PDTB143XU115
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PDTD143XU115
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PDTA123JQA147
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PMBT3946YPN/ZL115
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