NXP USA Inc. PHK28NQ03LT,518
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- PHK28NQ03LT,518
- NXP USA Inc.
- MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SO
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PHK28NQ03LT,518 Datenblatt
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2646
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer PHK28NQ03LT,518 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SO |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchMOS™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SO |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 6.25W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23.7A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30.3 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2800 pF @ 20 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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