NXP USA Inc. PHT11N06LT,135
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- PHT11N06LT,135
- NXP USA Inc.
- MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PHT11N06LT,135 Datenblatt
- TO-261-4, TO-261AA
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 20014
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer PHT11N06LT,135 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchMOS™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-261-4, TO-261AA |
| Gerätepaket des Lieferanten SC-73 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.9A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 5A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1400 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±13V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V |
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