Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T,135
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- PHT6NQ10T,135
- Nexperia USA Inc.
- MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PHT6NQ10T,135 Datenblatt
- TO-261-4, TO-261AA
- Jinftry-Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 28304
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| Part Number PHT6NQ10T,135 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Nexperia USA Inc. |
| Description MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 |
| Package Jinftry-Reel® |
| Series TrenchMOS™ |
| Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package SOT-223 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 633 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-261-4, TO-261AA |
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