ON Semiconductor PN100_G
- PN100_G
- ON Semiconductor
- INTEGRATED CIRCUIT
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- PN100_G Datenblatt
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2393
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer PN100_G |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung INTEGRATED CIRCUIT |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Gerätepaket des Lieferanten TO-92-3 |
Power-Max 625 mW |
Transistortyp NPN |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500 mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 45 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 50nA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 100 @ 150mA, 5V |
Frequenzübergang 250MHz |
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Bemerkungen
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