NXP USA Inc. PSMN023-80LS,115
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- PSMN023-80LS,115
- NXP USA Inc.
- MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PSMN023-80LS,115 Datenblatt
- 8-VDFN Exposed Pad
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 25713
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer PSMN023-80LS,115 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN |
| Paket -Reel® |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-VDFN Exposed Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 65W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 34A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1295 pF @ 40 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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