NXP USA Inc. PSMN3R9-60XS127
- PSMN3R9-60XS127
- NXP USA Inc.
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PSMN3R9-60XS127 Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2007
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer PSMN3R9-60XS127 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller NXP USA Inc. |
Beschreibung POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur - |
Montageart - |
Paket/Koffer - |
Gerätepaket des Lieferanten - |
Technologie - |
Verlustleistung (max.) - |
FET-Typ - |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) - |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs - |
Vgs(th) (Max) @Id - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
Vgs (Max) - |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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Bemerkungen
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