NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ
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- PSMN8R5-108ESQ
- NXP USA Inc.
- MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PSMN8R5-108ESQ Datenblatt
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 3115
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| Teilenummer PSMN8R5-108ESQ |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Gerätepaket des Lieferanten I2PAK |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 263W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 108 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 111 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5512 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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