R6504END3TL1

Rohm Semiconductor R6504END3TL1

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • R6504END3TL1
  • Rohm Semiconductor
  • 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • R6504END3TL1 Datenblatt
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4336
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
R6504END3TL1
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
TO-252
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
58W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 130µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
220 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

R6504END3TL1 Garantien

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