Rohm Semiconductor R6504END3TL1
- R6504END3TL1
- Rohm Semiconductor
- 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- R6504END3TL1 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4336
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer R6504END3TL1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Rohm Semiconductor |
Beschreibung 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 58W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 130µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 220 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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On September 17, 1958, Rohm Semiconductor was founded in Kyoto, Japan. The company's products mainly include analog integrated circuits, power semiconductor devices, sensors, advanced packaging...

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