Harris Corporation RF1S40N10LE
- RF1S40N10LE
- Harris Corporation
- 40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL,
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- RF1S40N10LE Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 4818
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| Teilenummer RF1S40N10LE |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller Harris Corporation |
| Beschreibung 40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL, |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart - |
| Paket/Koffer - |
| Gerätepaket des Lieferanten - |
| Power-Max - |
| FET-Typ - |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) - |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs - |
| Vgs(th) (Max) @Id - |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
RF1S40N10LE Garantien



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Bemerkungen
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Harris Semiconductor was founded in 1992. It is a global multinational company with a history of nearly 100 years. It is recognized as the world's leading supplier of high-quality welding materials. It mainly produces high-quality...
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