Harris Corporation RF1S70N03
- RF1S70N03
- Harris Corporation
- MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RF1S70N03 Datenblatt
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 10064
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer RF1S70N03 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Harris Corporation |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Gerätepaket des Lieferanten TO-262AA |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 70A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 70A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 20 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3300 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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Bemerkungen
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