Harris Corporation RFB18N10CS
- RFB18N10CS
- Harris Corporation
- MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RFB18N10CS Datenblatt
- TO-220-5
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4381
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer RFB18N10CS |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Harris Corporation |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5 |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-5 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220AB-5 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 79W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion Current Sensing |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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Bemerkungen
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