Harris Corporation RFD8P06E
- RFD8P06E
- Harris Corporation
- P-CHANNEL POWER MOSFET
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RFD8P06E Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 996
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| Teilenummer RFD8P06E |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Harris Corporation |
| Beschreibung P-CHANNEL POWER MOSFET |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart - |
| Paket/Koffer - |
| Gerätepaket des Lieferanten - |
| Technologie - |
| Verlustleistung (max.) - |
| FET-Typ - |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) - |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs - |
| Vgs(th) (Max) @Id - |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
| Vgs (Max) - |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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Bemerkungen
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