Rohm Semiconductor RGT30NS65DGC9
- RGT30NS65DGC9
- Rohm Semiconductor
- IGBT
- Transistors - IGBTs - Single
- RGT30NS65DGC9 Datenblatt
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1490
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer RGT30NS65DGC9 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Rohm Semiconductor |
Beschreibung IGBT |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Gerätepaket des Lieferanten TO-262 |
Power-Max 133 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 55 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A |
Gate-Gebühr 32 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 18ns/64ns |
Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 45 A |
Energie wechseln - |
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Bemerkungen
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On September 17, 1958, Rohm Semiconductor was founded in Kyoto, Japan. The company's products mainly include analog integrated circuits, power semiconductor devices, sensors, advanced packaging...

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