Rohm Semiconductor RGTH00TS65DGC11
- RGTH00TS65DGC11
- Rohm Semiconductor
- IGBT 650V 85A 277W TO-247N
- Transistors - IGBTs - Single
- RGTH00TS65DGC11 Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1135
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer RGTH00TS65DGC11 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Rohm Semiconductor |
Beschreibung IGBT 650V 85A 277W TO-247N |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247N |
Power-Max 277 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 54 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 85 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A |
Gate-Gebühr 94 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 39ns/143ns |
Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 200 A |
Energie wechseln - |
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On September 17, 1958, Rohm Semiconductor was founded in Kyoto, Japan. The company's products mainly include analog integrated circuits, power semiconductor devices, sensors, advanced packaging...

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