RJH65D27BDPQ-A0#T2

Renesas Electronics America Inc RJH65D27BDPQ-A0#T2

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  • RJH65D27BDPQ-A0#T2
  • Renesas Electronics America Inc
  • IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
  • Transistors - IGBTs - Single
  • RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datenblatt
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1146
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
RJH65D27BDPQ-A0#T2
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
Renesas Electronics America Inc
Beschreibung
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247A
Power-Max
375 W
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
100 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
650 V
IGBT-Typ
Trench
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.65V @ 15V, 50A
Gate-Gebühr
175 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C
20ns/165ns
Testbedingung
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
-
Energie wechseln
1mJ (on), 1.5mJ (off)

RJH65D27BDPQ-A0#T2 Garantien

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