Renesas Electronics America Inc RJH65D27BDPQ-A0#T2
- RJH65D27BDPQ-A0#T2
- Renesas Electronics America Inc
- IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
- Transistors - IGBTs - Single
- RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1146
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer RJH65D27BDPQ-A0#T2 |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
| Hersteller Renesas Electronics America Inc |
| Beschreibung IGBT TRENCH 650V 100A TO247A |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-247-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-247A |
| Power-Max 375 W |
| Eingabetyp Standard |
| Reverse Recovery Time (trr) 80 ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
| IGBT-Typ Trench |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 50A |
| Gate-Gebühr 175 nC |
| Td (ein/aus) bei 25 °C 20ns/165ns |
| Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Strom – Kollektor gepulst (Icm) - |
| Energie wechseln 1mJ (on), 1.5mJ (off) |
RJH65D27BDPQ-A0#T2 Garantien



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Renesas Electronics America Inc. is a semiconductor manufacturing company that specializes in designing, manufacturing, and selling embedded semiconductor solutions. Renesas Electronics America Inc. is the subsidiary of Renesas Electronics Corporation in the United...
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