Renesas Electronics America Inc RJK0230DPA-00#J5A
- RJK0230DPA-00#J5A
- Renesas Electronics America Inc
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- RJK0230DPA-00#J5A Datenblatt
- 8-PowerVDFN
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 8233
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer RJK0230DPA-00#J5A |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerVDFN |
Gerätepaket des Lieferanten 8-WPAK-D |
Power-Max 15W, 35W |
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A, 50A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1650pF @ 10V |
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Bemerkungen
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