Renesas Electronics America Inc RJK0331DPB-01#J0
- RJK0331DPB-01#J0
- Renesas Electronics America Inc
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RJK0331DPB-01#J0 Datenblatt
- SC-100, SOT-669
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3808
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer RJK0331DPB-01#J0 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SC-100, SOT-669 |
Gerätepaket des Lieferanten LFPAK |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 50W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3380 pF @ 10 V |
Vgs (Max) - |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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