Renesas Electronics America Inc RJK0331DPB-01#J0
- RJK0331DPB-01#J0
- Renesas Electronics America Inc
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RJK0331DPB-01#J0 Datenblatt
- SC-100, SOT-669
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 3808
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer RJK0331DPB-01#J0 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Renesas Electronics America Inc |
| Beschreibung POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SC-100, SOT-669 |
| Gerätepaket des Lieferanten LFPAK |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 50W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id - |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3380 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) - |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
RJK0331DPB-01#J0 Garantien



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