RJK03E1DNS-00#J5

Renesas Electronics America Inc RJK03E1DNS-00#J5

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  • RJK03E1DNS-00#J5
  • Renesas Electronics America Inc
  • POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • RJK03E1DNS-00#J5 Datenblatt
  • 8-PowerWDFN
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 23301
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
RJK03E1DNS-00#J5
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Renesas Electronics America Inc
Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerWDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-HWSON (3.3x3.3)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
15W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.7 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2300 pF @ 10 V
Vgs (Max)
-
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
-

RJK03E1DNS-00#J5 Garantien

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