Renesas Electronics America Inc RJK03M5DNS-00#J5
- RJK03M5DNS-00#J5
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RJK03M5DNS-00#J5 Datenblatt
- 8-PowerWDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 9050
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer RJK03M5DNS-00#J5 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerWDFN |
Gerätepaket des Lieferanten 8-HWSON (3.3x3.3) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 15W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.4 nC @ 4.5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1890 pF @ 10 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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