Renesas Electronics America Inc RJK0602DPN-E0#T2
- RJK0602DPN-E0#T2
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 60V 110A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RJK0602DPN-E0#T2 Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3396
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer RJK0602DPN-E0#T2 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 110A TO220AB |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220AB |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 110A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6450 pF @ 10 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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