Renesas Electronics America Inc RJK0652DPB-00#J5
- RJK0652DPB-00#J5
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RJK0652DPB-00#J5 Datenblatt
- SC-100, SOT-669
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4460
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer RJK0652DPB-00#J5 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Renesas Electronics America Inc |
| Beschreibung MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SC-100, SOT-669 |
| Gerätepaket des Lieferanten LFPAK |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 55W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 35A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id - |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4100 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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