Renesas Electronics America Inc RJK6002DPH-E0#T2
- RJK6002DPH-E0#T2
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 600V 2A TO251
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RJK6002DPH-E0#T2 Datenblatt
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2903
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer RJK6002DPH-E0#T2 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 2A TO251 |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Gerätepaket des Lieferanten TO-251 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 30W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8Ohm @ 1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 165 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
RJK6002DPH-E0#T2 Garantien
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