Renesas Electronics America Inc RJK60S5DPK-M0#T0
- RJK60S5DPK-M0#T0
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 600V 20A TO3PSG
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RJK60S5DPK-M0#T0 Datenblatt
- TO-3P-3, SC-65-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1738
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer RJK60S5DPK-M0#T0 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Renesas Electronics America Inc |
| Beschreibung MOSFET N-CH 600V 20A TO3PSG |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-3P-3, SC-65-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-3PSG |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) - |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion Super Junction |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 178mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id - |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1.6 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) - |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
RJK60S5DPK-M0#T0 Garantien



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