RJL6012DPE-00#J3

Renesas Electronics America Inc RJL6012DPE-00#J3

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  • RJL6012DPE-00#J3
  • Renesas Electronics America Inc
  • MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • RJL6012DPE-00#J3 Datenblatt
  • SC-83
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 26230
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
RJL6012DPE-00#J3
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Renesas Electronics America Inc
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-83
Gerätepaket des Lieferanten
LDPAK
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1050 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

RJL6012DPE-00#J3 Garantien

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