Renesas Electronics America Inc RJP30H1DPD-A0#Q2
- RJP30H1DPD-A0#Q2
- Renesas Electronics America Inc
- IGBT
- Transistors - IGBTs - Single
- RJP30H1DPD-A0#Q2 Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1036
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Teilenummer RJP30H1DPD-A0#Q2 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung IGBT |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur - |
Montageart - |
Paket/Koffer - |
Gerätepaket des Lieferanten - |
Power-Max - |
Eingabetyp - |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) - |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) - |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic - |
Gate-Gebühr - |
Td (ein/aus) bei 25 °C - |
Testbedingung - |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) - |
Energie wechseln - |
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