Renesas Electronics America Inc RJP65T54DPM-E0#T2
- RJP65T54DPM-E0#T2
- Renesas Electronics America Inc
- IGBT TRENCH TO-3FP
- Transistors - IGBTs - Single
- RJP65T54DPM-E0#T2 Datenblatt
- TO-3PFM, SC-93-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3222
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer RJP65T54DPM-E0#T2 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Renesas Electronics America Inc |
Beschreibung IGBT TRENCH TO-3FP |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-3PFM, SC-93-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-3PF |
Power-Max 63.5 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
IGBT-Typ Trench |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.68V @ 15V, 30A |
Gate-Gebühr 72 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 35ns/120ns |
Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 225 A |
Energie wechseln 330µJ (on), 760µJ (off) |
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