Toshiba Semiconductor and Storage RN1709JE(TE85L,F)
- RN1709JE(TE85L,F)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- NPN X 2 BRT, Q1BSR=47KΩ, Q1BER=2
- Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- RN1709JE(TE85L,F) Datenblatt
- SOT-553
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 29665
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer RN1709JE(TE85L,F) |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung NPN X 2 BRT, Q1BSR=47KΩ, Q1BER=2 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie - |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SOT-553 |
| Gerätepaket des Lieferanten ESV |
| Power-Max 100mW |
| Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50V |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) 500nA |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V |
| Frequenzübergang 250MHz |
| Widerstandsbasis (R1) 47kOhms |
| Widerstand – Emitterbasis (R2) 22kOhms |
RN1709JE(TE85L,F) Garantien



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Bemerkungen
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage is a company dedicated to the research, development, production, and sales of semiconductor and storage solutions.
In 1875, Toshiba Semiconductor and Storage was founded in Tokyo, Japan. The company's products...
RN1707JE(TE85L,F)
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