Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV,L3XHF(CT
- RN2107MFV,L3XHF(CT
- Toshiba Semiconductor and Storage
- AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- RN2107MFV,L3XHF(CT Datenblatt
- SOT-723
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 21460
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer RN2107MFV,L3XHF(CT |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER= |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie Automotive, AEC-Q101 |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SOT-723 |
| Gerätepaket des Lieferanten VESM |
| Power-Max 150 mW |
| Transistortyp PNP - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50 V |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) 500nA |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V |
| Frequenzübergang - |
| Widerstandsbasis (R1) 10 kOhms |
| Widerstand – Emitterbasis (R2) 47 kOhms |
RN2107MFV,L3XHF(CT Garantien



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In 1875, Toshiba Semiconductor and Storage was founded in Tokyo, Japan. The company's products...
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