RN2112MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage RN2112MFV,L3F

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  • RN2112MFV,L3F
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
  • RN2112MFV,L3F Datenblatt
  • SOT-723
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 10028
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
RN2112MFV,L3F
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-723
Gerätepaket des Lieferanten
VESM
Power-Max
150 mW
Transistortyp
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Frequenzübergang
-
Widerstandsbasis (R1)
22 kOhms
Widerstand – Emitterbasis (R2)
-

RN2112MFV,L3F Garantien

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RN2101MFV,L3F(CT
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