Toshiba Semiconductor and Storage RN2306,LF
- RN2306,LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- RN2306,LF Datenblatt
- SC-70, SOT-323
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 6621
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer RN2306,LF |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SC-70, SOT-323 |
Gerätepaket des Lieferanten SC-70 |
Power-Max 100 mW |
Transistortyp PNP - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 500nA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V |
Frequenzübergang 200 MHz |
Widerstandsbasis (R1) 4.7 kOhms |
Widerstand – Emitterbasis (R2) 47 kOhms |
RN2306,LF Garantien
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Bemerkungen
Toshiba Semiconductor and Storage

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In 1875, Toshiba Semiconductor and Storage was founded in Tokyo, Japan. The company's products...

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