RN2906FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE,LF(CT

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  • RN2906FE,LF(CT
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
  • RN2906FE,LF(CT Datenblatt
  • SOT-563, SOT-666
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2854
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
RN2906FE,LF(CT
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten
ES6
Power-Max
100mW
Transistortyp
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
100mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
500nA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequenzübergang
200MHz
Widerstandsbasis (R1)
4.7kOhms
Widerstand – Emitterbasis (R2)
47kOhms

RN2906FE,LF(CT Garantien

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