Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB
- RQ3E070BNTB
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RQ3E070BNTB Datenblatt
- 8-PowerVDFN
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4670
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer RQ3E070BNTB |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Rohm Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerVDFN |
Gerätepaket des Lieferanten 8-HSMT (3.2x3) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2W (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 7A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.9 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 410 pF @ 15 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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On September 17, 1958, Rohm Semiconductor was founded in Kyoto, Japan. The company's products mainly include analog integrated circuits, power semiconductor devices, sensors, advanced packaging...

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