STMicroelectronics SCT10N120H
- SCT10N120H
- STMicroelectronics
- SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SCT10N120H Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 13812
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer SCT10N120H |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller STMicroelectronics |
| Beschreibung SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten H2Pak-2 |
| Technologie SiCFET (Silicon Carbide) |
| Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 20 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 290 pF @ 400 V |
| Vgs (Max) +25V, -10V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 20V |
SCT10N120H Garantien



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